سهی کیم (بلومبرگ) – شرکت سامسونگ الکترونیک نسل جدیدی از تراشه های حافظه را در اواخر سال 2021 منتشر خواهد کرد ، اولین بار در 7 سال گذشته ، که قول می دهد دو برابر سرعت داشته و بیشترین ظرفیت را برای هماهنگی با رشد مراکز داده و تقاضای هوش مصنوعی ارائه دهد.
بزرگترین تراشه ساز حافظه جهان گفت که ماژول های حافظه 512 گیگابایتی DDR5 (Double Data Rate 5) مبتنی بر فرآیند ساخت High-K Metal Gate (HKMG) را تولید می کند که به طور سنتی در تراشه های منطقی استفاده می شود. این شرکت در اعلامیه خود نوشت: حافظه DDR5 دو برابر سریعتر از DDR4 فعلی خواهد بود در حالی که نشتی را کاهش می دهد و حدود 13٪ انرژی کمتری را مصرف می کند.
سامسونگ انتظار دارد انتقال از DDR5 در نیمه دوم سال جاری آغاز شود. صنعت تراشه پیش بینی پذیرش استاندارد جدید حافظه را داشته و پشتیبانی از آن با پردازنده های Xeon Scalable آینده شرکت Corp. با نام رمز Sapphire Rapids ارائه می شود. این شرکت به اخبار بلومبرگ گفت ، علاوه بر همکاری با دو تامین کننده عمده پردازنده مرکزی ، Intel و Advanced Micro Devices Inc. ، سامسونگ نمونه هایی از حافظه جدید خود را برای توسعه دهندگان سیستم عامل های مرکز داده ارسال کرده است.
آنچه بلومبرگ هوش می گوید
“ما در اواخر سال 2021 یا 2022 برای اولین بار در 6-7 سال نسل جدید DRAM خواهیم داشت. سرعت بالاتر ، مصرف کمتر انرژی و قابلیت اطمینان بالاتر باید محاسبات پیشرفته با عملکرد بالا را در دوره هوش مصنوعی آینده امکان پذیر کند. “
– Masahiro Wakasugi ، تحلیلگر
تحلیلگران تخمین می زنند تراشه های DDR5 حدود 20٪ از قطعات DDR4 بزرگتر باشند و این امر منجر به افزایش فشار بر زنجیره های تامین کننده نیمه هادی می شود. سامسونگ قصد دارد امسال محموله ها را آغاز کند و به تدریج هم مراحل ساخت خود – گسترش استفاده از لیتوگرافی فوق العاده ماوراlet بنفش – و هم قیمت گذاری را توسعه دهد ، كه شامل حق بیمه برای دوره اولیه است. این شرکت مستقر در سوون اعلام کرد که تقاطع بین DDR4 و DDR5 انتظار می رود در نیمه دوم سال 2023 اتفاق بیفتد.
Avril Wu ، معاون رئیس جمهور در تحقیقات TrendForce گفت: “با افزایش تدریجی ضریب نفوذ DDR5 ، انتظار می رود کمبود DRAM همچنان ادامه داشته باشد.” “ما همچنین انتظار داریم که در ابتدا 30-40٪ افزایش قیمت انجام شود.”